gleiche taktfrequenz, tortzdem intel schneller o.0

@The_LOD2010

Wow..... viele Fachwörter mit denen auch ich nur wenig anfangen kann.

Aber zu deiner Frage.... mit "Abschirmung" wollte ich nur extrem Simpel das ausdrücken was du grade beschrieben hast. Zumindest wen ich dich richtig verstanden habe. Stichwort "Leckströme"

 

Auch ich muss auch noch mal was ablassen

Und zwar zum Thema Leckströme, denn da ist Intel garnicht so rückständig wie sie es etwa noch vor einem Jahr waren denn bei Intel kommt bei den 45nm CPUs ein dickeres auf Hafnium basierendes high-k Material im Gate-Dielektrikum zum Einsatz. Dies reduziert die Leckströme im Vergleich zu Siliziumdioxid auf weniger als ein Zehntel, weil das high-k Gate-Dielektrikum nicht mit der derzeitigen Gate-Elektrode aus Silizium kompatibel ist, mischt Intel zudem noch eine Kombination unterschiedlicher metallischer Materialien dazu. Diese Kombination aus high-k Gate-Dielektrikum und Metall-Gate für die 4nm Generation erlaubt bis zu 20% höhere Ströme zu schalten bzw erhöht die Geschwindigkeit des Transistors. Im Umkehrschluss bedeutet das eine Reduzierung der Source-Drain-Leckströme um den Faktor Fünf was zu einer verbesserten Energieeffizienz des Transistors führt.

@kaktus
Kann es sein das du das mit den Arbeitsschritten genau verkehrtherum geschrieben hast denn generell gillt, je einfacher ein chip je geringer die Leckstrom Problematik oder habe ich deine Aussage jetzt irgendwie verdreht ?

 

das mit den Arbeitsschritten ist schwer zu erklären.

Es ist schon richtig, desto einfacher der Chip aufgebaut ist, desto weniger Leckströme und andere Probleme. Aber... zur Zeit des Pentium 4 wären weniger Arbeitsschritte eine Verringerung der Taktrate gewesen, da man bei weniger Arbeitsschritte die einzelnen Schritte hätter komplexer gestalten müssen, den der Arbeitsaufwand oder die Art der Berechnung insgesamt bleibt sich weitestgehend gleich.
Soll heissen.. Intel musste beim P4 entscheiden.... komplexerer Aufbau der Arbeitsschritte und niedrigere Taktraten, oder einfache Arbeitsschritte, dafür aber mehr und höhere Taktraten. Da aber höhere Taktraten damals PR Trächtiger waren..... setzte Intel auf "Echte" 3Ghz.
Hätte man man die Arbeitsschritte verkürzt, wären diese so komplex ausgefallen das sie hohe Taktraten nicht mitgemacht hätten, hier hatte sich ja AMD mit dem Athlon XP anders entschieden.

Heute sind aber die Fertigungsverfahren so ausgereift, wie du (Bernd) es ja grade bei Intel betonst, das man die Befehlskette verkürzen kann und gleichzeitig sehr hohe Taktraten erreicht. Da hängt AMD hinter her, auch wen AMD grundlegend die bessere Infrastruktur in Sachen Anbindung an die Restliche Hardware hat.

Ich hoffe ich habs halbwegs verständlich ausgedrückt.

 

Also die Fachwörter kann man echt zum größten Teil in Wiki nochmals nachlesen =)

@Bernd
Das SOI hat gegeüber der Metalle bei Intel noch einen Vorteil -> Kostengünstiger und schneller im Prozess. Zudem muss man sich das bei AMD so vorstellen das je ein CMOS bzw. Pipolar-Transistor in je einer SOI-Wanne sitzt. Somit sind sie wirklich alle gegeneinander abgeschirmt. Mit den neuesten CVD Oxiden ist auch hiermit eine sehr gute Isolation möglich und auch eine bessere Ätzung da SiO2 leichter geäzt werden kann mit BHF (Bufferd HF (Flusssäure))

IBM geht hier auch schon seit Jahren einen eigenen Weg sie nehmen Kupfer z.B. im großen Stiel was aber halt ein geheimer IBM Prozess ist.

€dit:
Wir sidn auserdem von 4nm Struckturen noch sehr weit weg da komtm die ganze Wellenoptik zum tragen da zerbrechen sich gard viele Physiker den Kopf dran wie man da in Zukunft am wirtschaftlichsten die Photolithographie macht.
Das mit den Metallen stimmt soweit schon. Da kommen Metalle mit hohen Massen zum Einsatz da diese garnicht oder nur kaum Diffundieren.
Im Moment spricht für das SOI Verfahren zudem wirklich die BE-Serie das würde Intel definitiv nicht schaffen laut meinem Prozesstechnik Lehrer der hat sich damit ausführlich beschäftigt und ist auch sehr begeistert von seinem 100W Arbeitspc