RAM - Übersicht

Hier mal eine kleine Übersicht über den Arbeitsspeicher:

RAM (Random Access Memory)
Ins RAM werden das Betriebssystem, Anwendungen und temporär benötigte Daten geladen, so dass der Prozessor umgehend auf diese zugreifen kann. Arbeitsspeicher jeden Typs ist um ein vielfaches schneller als andere Speichermöglichkeiten wie Festplattenoder CD-ROMs. Aufgrund der temporären Verfügbarkeit gehen alle Daten bei einem Auusschalten des PCs verloren.

SRAM (Static RAM)
Im Gegensatz zu Dynamic RAM haben die Zellen von SRAM keine Ladung. Sie müssen demnach nicht ständig neu geladen werden, weshalb SRAM einiges schneller als DRAM, jedoch auch deutlich energieverschleissender, grösser und teurer ist. SRAM kommt hauptsächlich in den L1- und L2-Caches zum Einsatz.

DRAM (Dynamic RAM)
Eine DRAM-Zelle besteht aus einem Kondensator und einem Transistor. Sie enthält eine Ladung, die alle paar Millisekunden erneuert werden muss, da Kondensatoren eine Ladung relativ schnell wieder verlieren. DRAM wird hauptsächlich als Arbeitsspeicher und Grafikkarten-RAM eingesetzt.

SDRAM (Synchronous DRAM)
Diese Speicherart umschreibt DRAM, welches mit der Taktfrequenz des Prozessors synchronisiert wurde, um die Instruktionsabfolge zu optimieren.
SDRAM ist etwa doppelt so schnell wie EDO-RAM.
Typische Arten sind:

• PC100 SDRAM: Von Intel definierter Standard, bei welchem das SDRAM Idealerweise mit einer Geschwindigkeit von 100 MHz betrieben wird. Dieser Typ läuft mit den gleichen Chipsätzen wie PC133 SDRAM.
• PC133 SDRAM: Mit der Erhöhung der FSB-Frequenz auf 133 MHz forcierte VIA das mit derselben Geschwindigkeit operierende PC133 SDRAM, um den Performance-Vorteil der Takterhöhung voll auszunutzen.
  Beispiele für unterstützende Chipsätze: VIA 694, VIA Apollo KT133/KT133A, Intel 845
• PC150/166 SDRAM: Besonders leistungsfähiges SDRAM, das sich je nach Herstellerangaben in den namensgebenden MHz-Bereichen betreiben lässt.

DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM)
Für Grakikkarten-RAM und Arbeitsspeicher, verdoppelt theoretisch den SDRAM-Datenoutput. Pro Taktzyklus des FSB werden 2 Datentransfers durchgeführt. Die eigentliche Taktfrequenz bleibt identisch, auch wenn die Produktbezeichnung etwas anderes zeigt. Mainboards, welche DDR SDRAM unterstützen, sind nicht mit älteren SDRAM kompatibel, genauso wie in älteren Mainboards kein DDR SDRAM eingesetzt werden kann.

• DDR266 SDRAM: Auch "PC2100" genannt, wegen der theoretischen Bandbreite von 2.100 MBs. Dieser RAM-Typ wird heute bei den meisten neuen PCs als Arbeitsspeicher eingesetzt. Die effektive Taktfrequenz bertägt 133 MHz. Beispiel-Chipsätze: AMD 760, VIA Apollo P4X266/P4266A, VIA Apollo KT266/KT266A, Intel 845D, etc.
• DDR333 SDRAM: Auch "PC2700". Noch ofenfrisch und sich gerade im Markteintritt befindend, ist das mit 166 MHz betriebene DDR333 SDRAM. Die unterstützenden Chipsätze werden nach und nach eingeführt und sind zum Teil noch nicht lieferbar. Beispiele: SiS645, SiS745, VIA Apollo KT333.

RDRAM (Rambus DRAM)
Als Intel den Pentium 4 herausbrachte, war erst ausschliesslich der Einsatz von RDRAM vorgesehen. Davon ist Intel aus verschiedenen Gründen glücklicherweise abgekommen, so dass auch für Pentium 4-Prozessoren eine Alternative besteht. Seine volle Leistung kann er aber nur mit RDRAM entfalten. Rambus DRAM besitzt eine um einiges höhere Taktrate als SDRAM, die Busbreite beträgt aber lediglich 16 Bit (gegenüber 64 Bit bei SDRAM). Dadurch ist die maximale Bandbreite beider RAM-Typen ziemlich ähnlich. RDRAM kann nur paarweise eingesetzt werden!
Die Anwender wollten eben für diese sündhaft teueren Module einen echten Leistungsgewinn einkaufen, doch das war eben nicht der Fall. Dabei hat RAMBUS auf technischer Schiene interessante Vorteile, so sind Fehlerkorrekturen möglich, der Speicher ist recht schnell und wirklich verlässlich. Alles das sind eigentlich gute starke Vorteile. Leider spricht der horrende Preis dagegen.

• RDRAM PC800: Die Taktfrequenz beträgt 400 MHz, die theoretische Bandbreite 1.600 MBs. Beispiele für Chip-sätze: Intel 850, Intel 840, Intel 820
• DRAM PC1066 oder RIMM 4200: Diese RAM-Bausteine werden erst in einigen Monaten eingeführt. Mit einer Takt-frequenz von 533 MHz weisen sie eine maximale Bandbreite von 2,1 GBs auf. Erster Chipsatz: Intel 850E

[FONT=Arial, Verdana, Tahoma, Helvetica]EDO RAM (Extended Data Out Random Access Memory)
[/FONT][FONT=Arial, Verdana, Tahoma, Helvetica]Der EDO RAM, der 1995 auf den Markt kam, arbeitet ähnlich wie der FPM-Speicher, ist aber schneller dank Änderungen des CAS (Column Address Signal) und des verlängerten Data-Outputs. Diese Chips können Datenwerte noch zum Auslesen bereithalten, während bereits die nächste Adresse angelegt wird. Das beschleunigt Lesevorgänge um ca. 10 ns was im Endeffekt ein Geschwindigkeitsgewinn von 2 - 3% gegenüber FPM-Speicher ergibt. EDO-RAM sind abwärtskompatibel. [/FONT]
[FONT=Arial, Verdana, Tahoma, Helvetica]Bei EDO-Speicher ist es nicht unbedingt notwendig 2 identische Speicherbänke zu installieren. Ob ein Chipsatz EDO-RAM unterstützt, muss im Motherboard Handbuch überprüft werden.(vor allem für Systeme bis zu einer Busgeschwindigkeit von 66 MHz.) Optisch lassen sich EDO-RAM nicht von FP-RAM unterscheiden. Im Vergleich mit SDRAM ist EDO-Speicher langsamer. [/FONT][FONT=Arial, Verdana, Tahoma, Helvetica]Ein schnellere Variation des EDO ist das Burst - EDO auch BEDO-DRAM genannt, welches nur kurze Zeit hergestellt wurde, weil es nur vom Intel 440FX Chipsatz unterstützt wurde.

[/FONT][FONT=Arial, Verdana, Tahoma, Helvetica]FPM- DRAM[/FONT][FONT=Arial, Verdana, Tahoma, Helvetica] (Fast-Page-Mode-RAM)[/FONT]
[FONT=Arial, Verdana, Tahoma, Helvetica]Während eines fortlaufenden Speicherzugriffs wird das Anlegen der immer gleichen Zeilenadresse gespart. Es genügt die Zeilenadresse einmal und die jeweilige Spaltenadresse anzugeben. Der Zugriff erfolgt erheblich schneller.[/FONT][FONT=Arial, Verdana, Tahoma, Helvetica]
FPM war lange der DRAM-Standard, ist aber mittlerweile veraltet und wird von EDO - noch mehr von SDRAM - übertroffen. FPM DRAM optimiert den Zugriff auf Daten: Fragt der Prozessor nach Daten, die in derselben Reihe einer Seite wie die der zuletzt angeforderten liegen, muss der Speichercontroller nur noch die Spaltenposition adressieren. [/FONT][FONT=Arial, Verdana, Tahoma, Helvetica]Eine Beschleunigung des FPM Speichers war die Technik des Interleaving. (Interleaving = auf 2 identischen Speicherbänke wird abwechseln zugegriffen; überschneidend was eine Verkürzung der Latenzzeit ergibt).[/FONT]

[FONT=Arial, Verdana, Tahoma, Helvetica]SONSTIGE ANGABEN:[/FONT]

CAS (column access strobe) - latency (CL)
Gibt an, wieviele Taktzyklen der Speicher benötigt, um Daten bereit zu stellen. Niedrigere Werte bedeuten höhere Speicherleistung.

RAS (row access strobe) - precharge delay (tRP)
Bezeichnet die Zeit, die der Speicher benötigt um den geforderten Spannungszustand zu liefern. Erst nach Erreichen des gewünschten Ladezustandes kann das RAS-Signal gesendet werden. Niedrigere Werte bedeuten höhere Speicherleistung.

RAS to CAS Delay (tRCD)
Hierbei wird über die Abtastsignale „Spalten“ und „Zeilen“ eine bestimmte Speicherzelle lokalisiert, der Inhalt dieser kann dann bearbeitet werden (Auslesen/Beschreiben). Zwischen der Abfrage „Zeile“ und der Abfrage „Spalte“ befindet sich eine festgelegte Verzögerung ==> Delay. Niedrigere Werte bedeuten höhere Speicherleistung.

Row-Active-Time (tRAS)
Erlaubte Neuzugriffe nach festgelegter Anzahl von Taktzyklen, setzt sich rein rechnerisch aus CAS + tRP + Sicherheit zusammen. Niedrigere Werte bedeuten höhere Speicherleistung.

Quellen:
http://de.wikipedia.org/wiki/Arbeitsspeicher
http://www.acmail.ch/wissen/ram.html
http://www.informationsarchiv.net/statisch/ram/

 

Nein, ist nicht Copy and Paste

Quellenangaben kann ich hinzufügen

 

Ja, aber habe nich 1:1 kopiert